입출력 블록인 GE 파눅 IC660EBD021은 16-회로 원천과 싱크 입출력 블록입니다

Ge Fanuc IC660EBD021, I/O 블록은 16 회로 소스 및 싱크 I/O 블록입니다

기술 정보

GE Fanuc IC660EBD021 I/O 블록은 Genius I/O 시리즈 I/O 블록으로 제조된 16 회로 소스 및 싱크 I/O 블록 및 전자 집합체입니다.

이 블록은 지능적이고 또한 구성 가능하여 다양한 분리 DC 센서와 액추에터와 연동할 수 있습니다.DC 16 회로 소스 블록의 2 가지 버전이 있으며 전원 공급 유형과 의도 된 사용에 따라 분류됩니다.이 2개의 블록 버전은 24 볼트 DC 소스 블록 옵션과 24/48 볼트 DC 소스 블록 옵션입니다. DC 16회로 싱크 블록은 또한 2가지 버전으로 제공됩니다.24/48 볼트 DC와 24 볼트 DC 싱크 블록 버전입니다..

소스 및 싱크 블록 둘 다 설계되고 출력 장치에 전류를 공급하기위한 것입니다. Genius I / O IC660EBD021 블록은 초 온도, 오픈 와이어,그리고 실패 스위치 입력 진단또한 5~100 밀리초 사이의 선택 가능한 입력 필터 지속시간이 있습니다.

이 모듈에 대한 IC660EBD021 I/O 블록 사양 중 일부는 최대 10%의 파장을 포함합니다. 전원 공급의 중단 시간은 10 밀리 초입니다.그리고 1500 볼트 블록에서 블록 격리 전압을 가지고 있습니다.. IC660EBD021 DC 16-회로 소스 및 싱크 I/O 블록은 16 개의 분리 회로로 구성되어 있으며, 모두 출력, 입력 또는 3 상태 입력으로 구성 될 수 있습니다.

이러한 출력 회로는 다른 모듈이나 논리 상태 반전을 사용하지 않고 입력 회로에 직접 연결할 수 있습니다.GE Fanuc IC660EBD021 블록은 다양한 터미널에 연결 된 I / O 장치에서 제어 전원을 활용합니다.이 블록에는 추가 또는 별도의 전원 공급원이 필요하지 않습니다. 이 소스 / 싱크 I/O 블록의 다른 주목할만한 구성 가능한 기능은 출력 펄스 테스트 및 출력 전력 설정입니다.

IC660EBD021에 대해

IC660EBD021 I/O 블록 (IC660EBD021 I/O 블록) 은 GE 지성 플랫폼/GE Fanuc가 GE Genius I/O 시리즈의 일환으로 제조한 16회로 DC I/O 블록이다. 이 모듈은 지능형,다양한 디스크리트 DC 액추에이터와 센서와 인터페이스를 위해 사용할 수 있는 구성 가능한 블록그것은 또한 현장 출력 장치에 전류를 공급하는 2 개의 DC 16 회로 소스를 포함합니다.IC660EBD021 16-회로 싱크 또는 소스 I / O 블록은 출력으로 구성 할 수있는 16 개의 고립 회로와 함께 제공됩니다., 입력, 또는 트리스테이트 입력. 출력 회로는 다른 구성 요소 또는 논리 상태 반전을 사용하지 않고 입력 회로에 연결 될 수 있습니다.이 단위는 출력 펄스 테스트 기능과 같은 구성 가능한 기능과 함께 제공됩니다, 출력 전원 기본 설정 및 10 ~ 100 마이크로초의 선택 가능한 입력 필터 시간. 또한 출력 "최후 상태를 유지" 또는 기본 구성 기능이 있습니다.

GE Fanuc IC660EBD021 I/O 블록은 설치 트리거 및 런타임 오류를 식별할 수 있는 급진적인 진단 기능을 갖추고 있습니다. 이 블록의 진단 기능에는 실패 스위치 검출,과도한 온도 보호, 과부하 감지 및 종료, 무부하 감지, 그리고 트리 스테이트 입력에 대한 오픈 와이어 감지. GE Fanuc IC660EBD021 I/O 블록은 약 4 파운드 또는 1.8 킬로그램을 무게,그리고 68의 열 분산 등급을 가지고 있습니다..8 와트, 16개의 출력 모두 2A 램퍼의 전류로 전원을 공급한다. DC 전력에 필요한 전류는 전형적으로 150mA, 최대 200mA이다. 전력 공급 중단 시간은 10 마이크로 초이다.정전 상태에서, 등급 전압은 공급 전압의 24 볼트 DC이며 소스 블록 전압 범위는 16 ~ 24 볼트 DC이며 싱크 블록 전압 범위는 0 ~ 8 볼트 DC입니다.

IC660EBD021에 대한 기술 사양