GE 파눅 IC660EBD024, 블록은 DC 32-회로 원천 / 싱크 인풋과 출력 블록입니다

Ge Fanuc IC660EBD024, 블록은 DC 32 회로 소스 / 싱크 입력 및 출력 블록입니다.

기술 정보

GE Fanuc IC660EBD024 블록은 DC 32 회로 소스 / 싱크 입력 및 출력 블록입니다. 그것은 Genius I / O 시리즈에 속하며 GE 지능형 플랫폼 / GE Fanuc 자동화에서 제조됩니다.구성 가능하고 지능형이 블록은 이진 신호를 제공하거나 받아들이는 장치에 컨트롤러를 인터페이스합니다. 이 블록을 돋보이는 것은 다양한 입력 장치와 호환된다는 사실입니다.예를 들어 2선 및 3선 전자 근접 스위치또한 램프, 콘택터 및 릴레이와 같은 출력 장치와 잘 일치합니다. IC660EBD024 I/O 블록은 32 회로 5, 12, 12를 포함하는 2 가지 모델에서 제공됩니다.또는 24 볼트 DC 싱크 블록과 12/24 볼트 DC 소스 블록.2 사이의 차이점은 소스 블록이 설계되고 현장 출력 장치로 전류를 공급하도록 의도되어 있으며 싱크 블록은 현장 출력 장치에서 전류를 수신합니다..

GE Fanuc IC660EBD024 소스 / 싱크 I / O 블록의 주요 특징과 특성은 싱크와 소스 버전 모두에 대해 12 ~ 24 볼트 DC의 명소 전압 등급을 포함합니다.이 블록의 이 싱크 버전은 또한 5 볼트 TTL 전압과 호환됩니다또한 32개의 입력과 출력은 구성 가능하며 블록에서 혼합될 수 있다. 이 블록의 다른 주목할 만한 특징은 고급 진단, 재설정 가능한 자기 보호 회로,그리고 소프트웨어 구성IC660EBD024 블록은 32 개의 동일한 분리된 입력 및 출력 회로로 구성되어 있습니다.또는 피드백과 함께 출력으로 설계와 응용 프로그램의 효율성을 위해 최대 유연성을 제공합니다.

IC660EBD024에 대해

IC660EBD024 DC 32회로 디스크리트 I/O 전자 집합기, GE Intelligent Platforms/GE Fanuc가 Genius I/O 시리즈의 일환으로 제조한다.이 단말기는 32개의 회로로 구성되어 있습니다.무게는 약 1kg입니다8 kilograms or 4 pounds and it has a block to block isolation of 850 Volts with a minimum heat dissipation of 11 Watts with 8 inputs and a minimum dissipation of 18 Watts with 32 outputs at a current rating of 5 Amps그것은 싱글 소스 작동 전압 범위가 있습니다 10에서 30 볼트 DC (12/24 볼트 DC 공급 장치와 함께) 또는 4.9에서 5.3 볼트 DC (5 볼트 DC 공급 장치와 함께) 싱크 모델에만.이 블록에 필요한 DC 전력 전류는 전형적으로 150mA, 최대 300mA입니다.GE Fanuc IC660EBD024 전자 집합의 다른 출력 사양은 회로당 최대 평상시 출력 전류 0.5 Amps, 총 블록 출력 전류 16 Amps,최대 출력 켜기 지연 0.5 마이크로초, 그리고 오류 출력 진단을 전환합니다.

GE Fanuc IC660EBD024 전자 장치는 환경 온도 범위 0~60도, 저장 온도 범위 -40~100도,그리고 그것은 5에서 95%의 비 응축 상대 습도 허용 범위가 있습니다이 전자 집합의 32 개의 동일한 입력 및 출력 회로는 각각 입력 또는 출력으로 구성 할 수 있습니다. 블록이 조합 블록으로 설정되면,출력 피드백은 해당 입력 참조에서 제공됩니다.32 회로 DC 소스 입력 및 출력 블록은 전원 공급의 부정적인 측면에 연결 된 모든 출력 장치를 갖추고 있습니다.입력값은 출력값을 위해 양력 공급 측면을 제어하는 동안, 상태가 있는 상태는 논리 1이고 상태가 없는 상태는 논리 0.

IC660EBD024에 대한 기술 사양